专业供应 集成电路IC Vishay/威世通 SI7997DP-T1-GE3 分立半导体 FET - 阵列

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专业供应 集成电路IC Vishay/威世通 SI7997DP-T1-GE3 分立半导体 FET - 阵列

品牌：威世通

型号：SI7997DP-T1-GE3

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一般信息
数据列表 SI7997DP
标准包装   3,000
包装   标准卷带 
类别 分立半导体产品
产品族 FET - 阵列
系列 TrenchFET®
其它名称 SI7997DP-T1-GE3TR 
SI7997DPT1GE3 

规格
FET 类型 2 个 P 沟道（双）
FET 功能 标准
漏源极电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（***值） 5.5 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（***值） 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） 160nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 6200pF @ 15V
功率 - ***值 46W
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 PowerPAK® SO-8 双
供应商器件封装 PowerPAK® SO-8 Dual

文档
PCN 组件/产地 Multiple Devices 11/Dec/2015
Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014

图像和媒体
产品相片 PowerPAK® SO-8 Dual



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